双极化FAD辐射单元

授权

摘要

本发明提供一种双极化FAD辐射单元，包括馈电连接片上、馈电连接片下、介质固定件、辐射体和馈电连接底座；其中，所述辐射体的外轮廓包括多个辐射面；每个所述辐射面内部镂空，所述镂空为由上下两个圆弧面构成的中空结构，每个所述圆弧面的中间位置有一个圆形通孔；所述辐射体固定在所述馈电连接底座上；所述馈电连接片上和所述馈电连接片下镶嵌在所述介质固定件上；所述介质固定件连同镶嵌在其上的馈电连接片上和馈电连接片下安装在所述馈电连接底座的通孔内。本发明通过在辐射元内部采用眼球形的镂空孔，增加辐射面电路路径，扩展频带带宽，改善频带内的驻波以及隔离度，使得辐射元的尺寸相对减小，装配简单，焊接方便。

基本信息

专利标题：

双极化FAD辐射单元

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110752438A

申请号：

CN201911070959.1

公开（公告）日：

2020-02-04

申请日：

2019-11-05

授权号：

CN110752438B

授权日：

2022-04-19

发明人：

田佰文任源朋孙彦明谢晖

申请人：

武汉虹信通信技术有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖高新技术开发区东信路5号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

张睿

优先权：

CN201911070959.1

主分类号：

H01Q1/36

IPC分类号：

H01Q1/36 H01Q1/50 H01Q5/20 H01Q5/307 H01Q9/28