一种双极化低频辐射单元
授权
摘要
本实用新型公开了一种双极化低频辐射单元，包括巴伦底座及四个设置在巴伦底座上的辐射体，辐射体包括相连的辐射臂及支撑部，辐射臂与支撑部垂直，四个支撑部分别与巴伦底座相连且四个支撑部在巴伦底座上围成矩形，四个辐射臂位于同一水平面上且四个辐射臂排列为十字形，辐射臂包括平板部，平板部的相对两侧分别设有与平板部垂直的第一折弯部，还包括两个馈电片，其中一个馈电片与对角设置的两个辐射体配合，另一个馈电片与另外两个对角设置的两个辐射体配合形成±45°极化。双极化低频辐射单元辐射性能强、整体结构紧凑，利于缩小双极化低频辐射单元的尺寸及占用的空间，满足基站天线内部布局的需求，同时结构简单、便于装配。
基本信息
专利标题 ：
一种双极化低频辐射单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123342108.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216597973U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
廖柏晖林勇龚宇翔
申请人 ：
深圳市鑫龙通信技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区公明街道上村社区莲塘工业城B区第23栋101,201,301,401,501
代理机构 ：
深圳市博锐专利事务所
代理人 ：
卜科武
优先权 ：
CN202123342108.3
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/50 H01Q1/12
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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