双面电容结构、DRAM存储器
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摘要
一种双面电容结构、DRAM存储器，其中所述双面电容结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的导电支撑层，所述导电支撑层中具有若干电容孔，所述电容孔之间的导电支撑层作为双面电容的上电极的一部分；位于所述电容孔侧壁表面的第一电容介质层，位于所述第一电容介质层侧壁表面的下电极层，位于所述下电极层的侧壁和顶部表面以及下电极层之间的电容孔底部表面的第二电容介质层，所述下电极层顶部表面的第二电容介质层与第一电容介质层接触；位于所述第二电容介质层上填充电容孔的上电极导电层，所述上电极导电层与电容孔之间的导电支撑层连接作为上电极层。所述双面电容结构能防止导电支撑层中形成的电容孔产生锥形形貌。
基本信息
专利标题 ：
双面电容结构、DRAM存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920417004.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209496851U
授权日 ：
2019-10-15
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920417004.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2019-10-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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