电容结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种电容结构及其制作方法。该电容结构包括：衬底、第一电容接触层、下电极层、电容介质层和上电极层，其中，第一电容接触层阵列排布于衬底上，下电极层围绕第一电容接触层侧壁，并沿第一电容接触层背离衬底的方向延伸，电容介质层覆盖衬底上表面、下电极层表面及第一电容接触层上表面，上电极层覆盖电容介质层表面。本申请提供的电容结构及其制作方法，增加了环绕第一电容接触层侧壁的电容面积，从而增大了电容的面积，降低了双面电容结构的阻值。
基本信息
专利标题 ：
电容结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373756A
申请号 ：
CN202011105560.5
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛超军陆勇
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN202011105560.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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