PIP电容的制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种PIP电容的制作方法，先在器件表面沉积第一多晶硅层、介电层以及第二多晶硅层，再对所述第二多晶硅层和介电层进行刻蚀，以分别形成PIP电容的上极板和介电层，然后再对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以分别形成PIP电容的下极板和栅极，最后再沉积侧墙氧化层，对侧墙氧化层进行刻蚀，在PIP电容的下极板两侧和栅极两侧形成侧墙。由此可知，本方案通过将形成侧墙的过程放置在形成PIP电容的上极板、介电层和下极板之后，避免了在PIP电容的下极板的侧壁处形成第二多晶硅层和介电层的残留问题，并通过构建ONO复合介电层代替传统单一的介电层，既消除了多晶硅的残留问题又提高了电容器的电容量，使得器件性能得到提升和改善。
基本信息
专利标题 ：
PIP电容的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361137A
申请号 ：
CN202111644686.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许滨滨叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰许静嵇彤黎婉雯
申请人 ：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市开发区开源大道136号A栋
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王娇娇
优先权 ：
CN202111644686.4
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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