沟渠电容及存储单元的制作方法
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摘要
一种制作沟渠电容及存储单元的方法，提供一衬底，于该衬底内形成一栅状的浅沟隔离以及多个由硬掩模层覆盖的有源区域。接着于该衬底上形成一光致抗蚀剂，利用一仅具X方向考量的初阶光掩模，于该光致抗蚀剂上定义出本发明所需的图案。利用该硬掩模层及该浅沟隔离作为一掩模，向下蚀刻出多个深沟渠，进行后续工艺完成沟渠电容与存储单元的制作。
基本信息
专利标题 ：
沟渠电容及存储单元的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937170A
申请号 ：
CN200510106940.X
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏怡男黄俊麒
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106940.X
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/82 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-02-17 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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