一种相变存储单元及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。
基本信息
专利标题 ：
一种相变存储单元及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361202A
申请号 ：
CN202111523997.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡道林宋志棠朱敏钟旻冯高明
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海泰博知识产权代理有限公司
代理人 ：
钱文斌
优先权 ：
CN202111523997.5
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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