相变存储单元的测试结构
授权
摘要
本实用新型提供一种相变存储单元的测试结构，包括金属布线层，所述金属布线层包括第一金属布线区、第二金属布线区及中间金属布线区，其中，第一金属布线区与相变存储单元连接，第二金属布线区通过金属接触通孔引出，且中间金属布线区中具有金属绕线结构，且金属绕线结构分别与第一金属布线区和第二金属布线区连接。本实用新型提供的测试结构中，中间金属布线区具有金属绕线结构，相当于在第一金属布线区和第二金属布线区之间引入一电阻器，以限制瞬态冲击电流在一个较小的水平，避免相变电阻动态阻值的变化导致回路冲击瞬态电流过大，保护相变存储单元，提高测试的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
相变存储单元的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122605648.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-27
授权号 ：
CN216212353U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘国强杨红心张恒刘峻
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202122605648.X
主分类号 ：
G11C29/56
IPC分类号 ：
G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如：用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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