本发明涉及芯片技术领域，具体公开了一种闪存的坏存储单元测试方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括以下步骤：对芯片进行全芯片数据查错处理，并获取坏存储单元；利用备用的存储单元替换坏存储单元；对替换后的存储单元进行二次查错处理以获取查错结果；将所述查错结果记录在校验位上；根据所述校验位记录的查错结果获取测试结果；该方法对根据全芯片数据查错处理获取的坏存储单元进行替换，并仅针对替换后的存储单元进行二次查错处理，有效减少了重复查错的对象基数，进而加快了测试效率，同时利用校验位进行测试结果的记录，也将测试结果中的无用信息进行有效削减，简化测试结果的判断逻辑。