实时生成闪存测试向量的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种实时生成闪存测试向量的方法，预先把对闪存擦除操作、读操作和写操作分别编写成擦写类库函数、读类库函数和写类库函数库函数，在测试中，通过调用这些库函数实时生成测试向量。本发明可明显缩短测试程序开发时间，提高测试程序的可靠性和测试开发效率。
基本信息
专利标题 ：
实时生成闪存测试向量的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1982908A
申请号 ：
CN200510111427.X
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢晋春武建宏
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111427.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/00 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2014-01-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684696124
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL200510111427X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
号牌文件序号 : 101684696124
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL200510111427X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
2009-06-17 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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