一种DDR2/3 PHY BIST命令通道测试向量生成方...
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摘要
本发明公开了一种DDR2/3 PHY BIST命令通道测试向量生成方法，包括如下步骤：(1)选择LFSR结构，利用低频率时钟驱动LFSR结构产生伪随机数；(2)选择LFSR结构中移位寄存器值作为测试数据；(3)对测试数据进行编码，构造出最终测试向量。本发明结构简单易实现，生成的测试向量能够充分检验信道抗串扰和驱动能力，并且在满足测试需求的条件下减小了BIST运行频率，降低功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种DDR2/3 PHY BIST命令通道测试向量生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111044887A
申请号 ：
CN201911252694.7
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN111044887B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
马杰乐立鹏张建军马城城闫昕刘亚鹏
申请人 ：
北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请人地址 ：
北京市丰台区东高地四营门北路2号
代理机构 ：
中国航天科技专利中心
代理人 ：
张辉
优先权 ：
CN201911252694.7
主分类号 ：
G01R31/3183
IPC分类号 ：
G01R31/3183 G01R31/3187
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/3183
••••测试输入量的产生，例如测量矢量、图形或顺序
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/3183
申请日 : 20191209
申请日 : 20191209
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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