大容量闪存芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本发明涉及芯片测试技术领域,具体公开了一种大容量闪存芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质,其中,测试方法包括以下步骤:获取全片测试命令;根据闪存芯片中的灵敏放大器的数量及位置信息将闪存芯片的存储阵列划分为多个独立测试区域;根据全片测试命令生成分别对应于每个独立测试区域的独立测试命令;分别根据独立测试命令对对应的独立测试区域进行独立测试;获取所有独立测试的独立测试结果,并根据所有独立测试结果生成闪存芯片的测试结果;该测试方法对应生成独立测试命令以使不同独立测试区域能进行独立测试,从而使得闪存芯片中不同独立测试区域的测试时间能相互重合或交错,减少了整个测试过程耗费的时间,提高测试效率。

基本信息
专利标题 :
大容量闪存芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114333976A
申请号 :
CN202111671091.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
温靖康刘梦高益王振彪
申请人 :
成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请人地址 :
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段666号2栋8楼802号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈志超
优先权 :
CN202111671091.8
主分类号 :
G11C29/56
IPC分类号 :
G11C29/56  G11C7/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置,例如:用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置,例如,自动测试设备;所用接口
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/56
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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