本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：以扇区或块为最小划分单位将闪存芯片存储区域划分为轻度擦除区域、中度擦除区域、重度擦除区域和不擦除区域；重复且依次地对轻度擦除区域、中度擦除区域和重度擦除区域分别进行a次、n*a次和m*a次cycle操作，直至重度擦除区域完成预设数量的cycle操作；获取重度擦除区域在cycle操作中的擦除时间；该方法能模拟芯片实际使用操作时不同区域产生不同程度操作的特性，从而使得最终获取的用于鉴别闪存芯片耐久性和数据保持能力的擦除时间。