分栅快闪存储单元及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构及第二分栅结构，分别包括第一浮栅及第二浮栅，所述第一浮栅及所述第二浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，所述第一浮栅及所述第二浮栅的顶部高于所述源线层；擦除栅，位于所述源线层上；源区，位于所述源线层的下方的衬底内，且与所述源线层电性连接；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。
基本信息
专利标题 ：
分栅快闪存储单元及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388629A
申请号 ：
CN202210039241.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王旭峰于涛李冰寒
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210039241.1
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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