具有改善的隧道氧化物的双栅存储单元
专利权的视为放弃
摘要
本发明涉及一种双栅存储单元，它包含：具有包含沟道区和源极/漏极区的有源区的硅衬底，其中该有源区构成至少包含沟道区的脊状翼；至少部分地在有源区的脊状翼的表面上形成的隧道氧化层；用于存储电荷的至少部分地在隧道氧化物的表面上形成的浮动栅；由介电材料构成的、至少部分地在浮动栅的表面上形成的栅间绝缘层；和至少部分地在栅间层的表面上形成的控制栅，其中隧道氧化层由非晶二氧化硅/二氧化钛混合氧化物构成。
基本信息
专利标题 ：
具有改善的隧道氧化物的双栅存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812131A
申请号 ：
CN200510131632.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·－D·乌费尔特
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN200510131632.2
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/51 H01L27/115
法律状态
2009-09-30 ：
专利权的视为放弃
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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