栅氧化层之制备方法

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摘要

一种栅氧化层制备方法首先形成至少两条沟槽于基板之中，这两条沟槽之间形成主动区域。之后，形成介电区块于该沟槽之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行掺杂工艺，将含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行热氧化工艺以形成栅氧化层于该主动区域之基板的上表面。通过该含氮掺质抑制热氧化反应速率，可避免该主动区域边缘处之栅氧化层厚度小于该主动区域中心处之栅氧化层厚度的情形发生。

基本信息

专利标题：

栅氧化层之制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101005030A

申请号：

CN200610001049.4

公开（公告）日：

2007-07-25

申请日：

2006-01-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈中怡朱志勋周志文

申请人：

茂德科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹市科学工业园区力行路十九号三楼

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王昕

优先权：

CN200610001049.4

主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

H01L21/316 H01L21/283 H01L21/336