保险丝结构、存储单元
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提出了一种保险丝结构、存储单元,保险丝结构包括:一氧化层;在氧化层中依次层叠设置的一多晶硅层、多个第一接触孔、一第一金属层、一第一通孔、一第二金属层,其中,第一通孔配置为保险丝通孔,设置在第一金属层与第二金属层间;一凹槽,配置在氧化层中,并围绕第一金属层、第一通孔、第二金属层而设置,凹槽包括一第一内壁、一第二内壁及位于第一内壁、第二内壁间的底壁,其中,第二内壁靠近第一金属层,凹槽的底壁低于第一金属层的底部。本实用新型由于在保险丝结构的氧化层中设有凹槽,可以提高保险丝结构的可靠性,进而提高存储单元的可靠性。本实用新型提出了一种存储单元,包括所述的保险丝结构。

基本信息
专利标题 :
保险丝结构、存储单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021050492.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-09
授权号 :
CN212322994U
授权日 :
2021-01-08
发明人 :
韩广涛
申请人 :
杰华特微电子(杭州)有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
代理机构 :
杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
唐灵
优先权 :
CN202021050492.2
主分类号 :
H01L23/525
IPC分类号 :
H01L23/525  H01L27/112  H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2021-05-14 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/525
变更事项 : 专利权人
变更前 : 杰华特微电子(杭州)有限公司
变更后 : 杰华特微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更后 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
2021-01-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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