存储单元、存储器及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种存储单元、存储器及其制作方法。该存储单元包括顺序连接的晶体管、存储节点接触和电容器,电容器包括下电极、上电极和电介质层,电介质层位于下电极与上电极之间,下电极包括:第一电极层,具有第一子电极区域以及与第一子电极区域连接的多个第二子电极区域,第一子电极区域与存储节点接触的表面接触,各第二子电极区域沿远离存储节点接触的方向延伸,且各第二子电极区域在延伸方向上具有相对的第一端面和第二端面,第一端面与存储节点接触的表面接触;第二电极层,覆盖于第一电极层的至少部分表面上。上述双面电容器结构增大了电容面积,上述电容器结构可以在不增大电容尺寸的情况下增大电容的储电量,从而有利于电容器的集成。
基本信息
专利标题 :
存储单元、存储器及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284270A
申请号 :
CN202111516468.2
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴公一王晓玲
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
张文华
优先权 :
CN202111516468.2
主分类号 :
H01L27/108
IPC分类号 :
H01L27/108 H01L49/02 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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