非挥发性存储器的存储单元
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括：一N型区域、一N型阱区、一P型阱区、一第一p型掺杂区域、一第二p型掺杂区域与一第一n型掺杂区域。该N型阱区与该P型阱区形成于该N型区域中。该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域位于该N型阱区的表面。该栅极层位于该第一p型掺杂区域与一第二p型掺杂区域之间的该N型阱区表面上方。该第一n型掺杂区域位于该P型阱区的表面。该栅极层延伸至该P型阱区，并且该栅极层的一第一侧相邻于该第一n型掺杂区域。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器的存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512489A
申请号 ：
CN202110930150.2
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖宗沐陈志欣黎俊霄林庆源
申请人 ：
力旺电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202110930150.2
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11548
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20210813
申请日 : 20210813
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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