抗辐射磁性存储单元、存储器及设备
公开
摘要
本发明提供了一种抗辐射磁性存储单元、存储器及设备，所述单元包括第一开关元件、第一隔离单元、第二开关元件、第二隔离单元和磁性存储器；所述磁性存储器包括自旋轨道矩层及设于所述自旋轨道矩层上的磁隧道结；所述第一开关元件与所述自旋轨道矩层的写入信号输入端和存储阵列位线分别连接，所述第一隔离单元与所述自旋轨道矩层的写入信号输出端和存储阵列源线分别连接；所述第二开关元件的一端通过所述第二隔离单元与所述磁隧道结的顶端连接，另一端与所述存储阵列位线连接，所述第二隔离单元为导通状态，本发明可提高磁性存储器件的抗辐射性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
抗辐射磁性存储单元、存储器及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613400A
申请号 ：
CN202210227460.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王碧王旻王昭昊赵巍胜赵元富王亮陈雷
申请人 ：
北京航空航天大学;北京微电子技术研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵平
优先权 ：
CN202210227460.2
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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