磁性存储单元结构与磁性存储装置
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种磁性存储单元结构适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层位于该穿隧绝缘层之上。一磁性偏压迭层，位于该磁性自由迭层之上。其中，磁性偏压迭层提供一偏压磁场给该磁性自由迭层，以使一双态操作区域更接近于一磁场零点。又，磁性偏压迭层所产生的磁场作用也包括缩小邻接于该双态操作区域的一直接区域。
基本信息
专利标题 ：
磁性存储单元结构与磁性存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038784A
申请号 ：
CN200610059116.8
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李元仁洪建中高明哲
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610059116.8
主分类号 ：
G11C11/15
IPC分类号 ：
G11C11/15 G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/15
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20100310
终止日期 : 20190314
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20100310
终止日期 : 20190314
2010-03-10 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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