具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件

授权

摘要

一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性自由层，功能性区域及功能性区域与铁磁性区域的界面处产生作用于铁磁性区域的一自旋轨道矩，使铁磁性区域发生定向翻转。本发明可以实现无外磁场下的磁矩定向翻转，可以简化器件结构和工艺难度，降低器件制造成本，降低能耗，实现器件的小型化、提高器件的集成度。

基本信息

专利标题：

具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111697130A

申请号：

CN202010583152.4

公开（公告）日：

2020-09-22

申请日：

2020-06-23

授权号：

CN111697130B

授权日：

2022-05-24

发明人：

王开友张楠曹易

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

孙蕾

优先权：

CN202010583152.4

主分类号：

H01L43/08

IPC分类号：

H01L43/08 H01L27/22