用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格
授权
摘要
描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
基本信息
专利标题 ：
用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107660304A
申请号 ：
CN201580080352.5
公开（公告）日 ：
2018-02-02
申请日 ：
2015-06-24
授权号 ：
CN107660304B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
S·马尼帕特鲁尼A·乔杜里D·E·尼科诺夫I·A·扬
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈松涛
优先权 ：
CN201580080352.5
主分类号 ：
G11C11/155
IPC分类号 ：
G11C11/155 G11C11/16 H01F10/26 H01F10/32 H01L43/08 H01L43/10 H03K19/16
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应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/155
有圆筒状结构的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/155
申请日 : 20150624
申请日 : 20150624
2018-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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