磁存储器件
授权
摘要
本实用新型涉及磁存储器领域,尤其涉及一种磁存储器件,包括固定层、通道隔离层、自由层;所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间;所述自由层具有相对的第一面和第二面,所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层,所述第一面与所述第二面不平行。本实用新型能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流,减小磁存储器件体积。
基本信息
专利标题 :
磁存储器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921308123.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-13
授权号 :
CN210110839U
授权日 :
2020-02-21
发明人 :
黄嘉晔俞文杰刘强
申请人 :
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 :
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 :
明志会
优先权 :
CN201921308123.6
主分类号 :
H01L43/08
IPC分类号 :
H01L43/08 H01L43/10 H01L27/22
相关图片
法律状态
2020-02-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210110839U.PDF
PDF下载