磁存储器件
授权
摘要
本实用新型涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；还包括非磁性结构，所述非磁性结构位于所述自由层中，所述非磁性结构与所述自由层的材料不同。本实用新型能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。
基本信息
专利标题 ：
磁存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921309034.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN210110841U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
黄嘉晔俞文杰刘强
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
明志会
优先权 ：
CN201921309034.3
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L27/22
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法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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