非易失性存储器件
公开
摘要
一种非易失性存储器件包括：第一存储区和第二存储区，第一存储区包括第一存储单元和第一模拟电路，第二存储区包括第二存储单元和第二模拟电路；控制逻辑电路，其确定模拟电路的开启/关闭状态，其中，处于开启状态的每个模拟电路将外部电源电压转换为用于每个存储单元的操作的内部工作电压；以及输入/输出电路，其选择用于使用内部工作电压执行数据输入/输出的输入/输出存储区，其中，第一存储单元和第二存储单元的数据输入/输出被顺序地执行，并且当第一存储单元的数据输入/输出被执行时，第一模拟电路和第二模拟电路的每一者中的至少一个一起被开启。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360606A
申请号 ：
CN202111145948.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑凤吉申东珍梁万在李炳善张东洙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111145948.2
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/24 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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