非易失性存储器件
公开
摘要
一种非易失性存储器件可以包括：衬底；衬底上的第一堆叠结构；第一堆叠结构上的第二堆叠结构；沟道结构，包括穿过第一堆叠结构的第一部分和穿过第二堆叠结构的第二部分；以及填充结构，包括穿过第一堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第一部分和穿过第二堆叠结构并在第一水平方向上延伸的第二部分。填充结构的第一部分的上端可以与沟道结构的第一部分的上端处于相同高度。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388531A
申请号 ：
CN202110833744.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-07-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林根元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202110833744.1
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L25/18
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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