磁存储器件
公开
摘要
提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约
且至少一个间隔物层的厚度为从约
至约
基本信息
专利标题 ：
磁存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512596A
申请号 ：
CN202111318157.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴相奂金哉勋朴容星徐铉雨吴世忠赵显
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
翟然
优先权 ：
CN202111318157.5
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L27/22
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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