存储器件
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种存储器件，包括：字线叠层，其包括在衬底上方在竖直方向上交替地层叠的字线，并具有边缘部分；至少一个支撑件，其在字线层叠的方向上竖直地延伸并支撑字线叠层的边缘部分；接触插塞，其电连接到在字线叠层的边缘部分处的字线；以及有源层，其位于字线之间，并在与字线交叉的方向上水平地取向。
基本信息
专利标题 ：
存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373735A
申请号 ：
CN202110689791.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金承焕
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN202110689791.3
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L27/108 H01L27/22 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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