半导体封装的制造方法及所制成的封装
专利权的终止
摘要
挠性封装(100)在第一面(1)和第二面(2)之间具有半导体器件(20)，该半导体器件具有减薄的背部基板(10)和互连结构。在封装(100)的第一面(2)上存在用于外部接触的接触装置(31、33)和第一树脂层(52)，该接触装置(31、33)耦合到互连结构。在第二面(2)半导体器件(20)至少基本上覆盖有第二树脂层(12)。接触装置(31、33)存在于第一树脂层(52)上，并利用延伸通过第一树脂层(52)的重新分布轨线(32、34)耦合到互连结构。钝化层(55)至少基本上覆盖第一树脂层(52)和重新分布轨线(32、34)。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装的制造方法及所制成的封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133484A
申请号 ：
CN200680006473.6
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·J·A·范费恩R·德克尔C·C·塔克
申请人 ：
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200680006473.6
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/498 H01L23/538
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2011-05-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101068488970
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800064736
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20100227
号牌文件序号 : 101068488970
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800064736
申请日 : 20060227
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20100227
2009-07-15 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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