具有可控间隙的扇出封装件
授权
摘要

方法包括形成中介层,形成中介层包括形成刚性介电层;以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构,以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面,并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。

基本信息
专利标题 :
具有可控间隙的扇出封装件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110660725A
申请号 :
CN201910023923.1
公开(公告)日 :
2020-01-07
申请日 :
2019-01-10
授权号 :
CN110660725B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
蔡柏豪翁得期周孟纬林孟良庄博尧郑心圃
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹
代理机构 :
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 :
章社杲
优先权 :
CN201910023923.1
主分类号 :
H01L21/768
IPC分类号 :
H01L21/768  H01L23/538  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-01 :
授权
2020-02-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190110
2020-01-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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