一种可控硅模块封装结构
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摘要

一种可控硅模块封装结构,在DBC板上设置可控硅芯片,再把DBC板设置在铜基板上,第一FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入第三DBC板,第二FRD芯片的阳极通过键合铝丝引入第四DBC板;第三DBC板和第四DBC板之间焊接有第三功率端子;第一FRD芯片和第二FRD芯片的阳极通过第三功率端子引出;第一FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入第一DBC板并通过第一功率端子引出;第二FRD芯片的阴极通过键合铝丝引入第二DBC板并通过第一功率端子引出。本技术方案可控硅芯片并联布局,提高模块单位体积的功率密度;结壳热阻小,模块工作时产生的热量能快速散出,热疲劳稳定性提高,提高模块的使用寿命,降低终端客户使用成本。

基本信息
专利标题 :
一种可控硅模块封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020788439.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-13
授权号 :
CN211555884U
授权日 :
2020-09-22
发明人 :
臧天程张茹姜维宾
申请人 :
烟台台芯电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号3号楼117
代理机构 :
北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙福岭
优先权 :
CN202020788439.6
主分类号 :
H01L25/18
IPC分类号 :
H01L25/18  H01L23/49  H01L23/373  H05K1/03  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2020-09-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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