一种可控硅模块结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控硅模块结构，引入DBC板、铜基板设计，在DBC板上设置可控硅芯片，再把DBC板设置在铜基板上，基于铝丝键合工艺，将可控硅芯片的阴极、阳极及控制极通过铝丝引导到控制端子上引出；可控硅芯片并联布局，提高模块单位体积的功率密度；铝丝键合工艺成熟，生产效率高，可控硅模块的结壳热阻小，模块工作时产生的热量能快速散出，热疲劳稳定性提高，提高模块的使用寿命；DBC板上可设置多个可控硅芯片，提高模块单位体积功率密度，降低终端客户使用成本；通过铝丝键合，提高生产效率，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅模块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020787528.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN211578740U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
臧天程杨叶林姜维宾
申请人 ：
烟台台芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市经济技术开发区珠江路32号3号楼117
代理机构 ：
北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘增玉
优先权 ：
CN202020787528.9
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/498 H01L25/18 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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