一种可控硅模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控硅模块，包括底座，所述底座上固定有模块内组件，所述模块内组件上焊接有GK极引线，所述底座上安装有壳体，所述壳体内设置有外部GK电极和连接头，所述GK极引线穿过连接头的通孔与外部GK电极连接。本实用新型，一次真空高温共晶工艺，产品空洞小，热阻低；内部GK电极内部无需人工焊引出线，可靠性高；产品制作工序少，过程控制简单，人工成本低；整个产品焊接工艺先进，装配工序简单，成本低，品质可靠。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922416810.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-29
授权号 ：
CN211088255U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
罗文华陈华军
申请人 ：
昆山晶佰源半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市陆家镇田都路9号8号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922416810.6
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L21/50 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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