可控硅结构
授权
摘要
本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。本实用新型的可控硅结构，提高了电压和电流的调节能力。
基本信息
专利标题 ：
可控硅结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022145791.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN212725318U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
刘宗贺吴沛东
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202022145791.0
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/06 H01L29/74
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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