IGBT模块封装结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构，包括：电性连接层，用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介；芯片，固定设置于电性连接层；端子；以及导线，用于实现电路互连；芯片和端子经电性连接层由导线电性连接，也即，连接于芯片和端子之间的导线与电性连接层部分连接，和芯片和端子经导线直接电性连接的连接方式相比，能够使芯片产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板，这样就减少了导线传导至端子的热量，降低了端子的温度，有助于IGBT模块的正常工作，并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能，进而增加了IGBT模块的使用寿命，解决了因端子处的热量很难散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。

基本信息

专利标题：

IGBT模块封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921868367.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-01

授权号：

CN210467818U

授权日：

2020-05-05

发明人：

陈嵩

申请人：

富士电机（中国）有限公司

申请人地址：

上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

杨楷

优先权：

CN201921868367.X

主分类号：

H01L23/492

IPC分类号：

H01L23/492 H01L23/31 H01L23/495 H01L29/739