存储器件
公开
摘要
一种存储器件，包括：存储单元区域，存储单元区域包括在第一半导体衬底上彼此间隔开地堆叠的栅电极和沟道结构；以及外围电路区域，外围电路区域包括设置在第二半导体衬底上方的上金属线，第二半导体衬底设置在存储单元区域下方。第一半导体衬底包括第一区域和第二区域，在第一区域中第一半导体衬底与上金属线之间的距离具有第一值，在第二区域中第一半导体衬底与上金属线之间的距离具有小于第一值的第二值。用于操作存储器件的参考电压被传输到设置在第一区域下方的至少一条第一上金属线。因此，可以减小用于重要信号的耦合电容，同时保持连接部分的长度和公共源极线的电阻的大小。此外，可以降低存储器件的错误率。
基本信息
专利标题 ：
存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361176A
申请号 ：
CN202111063346.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-09-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金秀贞金仁模
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111063346.2
主分类号 ：
H01L27/11573
IPC分类号 ：
H01L27/11573 H01L27/11568 H01L27/11578
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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