逻辑器件及存储器
授权
摘要

本实用新型提供一种逻辑器件,该逻辑器件从下至上依次包括:柔性衬底,非磁缓冲层,耦合层,磁性缓冲层,多铁层和电极层;其中,耦合层为超薄膜,以实现反常霍尔效应和拓扑霍尔效,电极层包括十字结构,通过改变施加在非磁缓冲层与电极层之间电压的方向,改变十字结构的其中一组相对端之间的霍尔电阻。具体地,衬底为柔性衬底,具有抗挤压、可弯曲等优点,该器件采用了反常霍尔效应和拓扑霍尔效应原理,具有高灵敏性且不易失真的特性,不仅有效降低了对自旋轨道耦合效应进行调控所需的电压,还可结合外部磁场实现逻辑非运算功能,进一步地,还可基于此逻辑器件制作出相应的存储器件。

基本信息
专利标题 :
逻辑器件及存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920992480.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-28
授权号 :
CN210403772U
授权日 :
2020-04-24
发明人 :
叶建国
申请人 :
叶建国
申请人地址 :
河北省唐山市古冶区经济开发区
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
刘静
优先权 :
CN201920992480.2
主分类号 :
H01L43/04
IPC分类号 :
H01L43/04  H01L43/06  H01L43/10  H01L43/08  H01L43/14  
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法律状态
2020-04-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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