磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法

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摘要

本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该受选取的读取线进行取样以获得第二信号，比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取的磁性存储单元的逻辑状态。本发明所述磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，于读取之后无需再度将原先数据写入受读取的存储单元中，故可避免消耗额外的时间与电源。

基本信息

专利标题：

磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1855296A

申请号：

CN200510126142.3

公开（公告）日：

2006-11-01

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林文钦邓端理赖理学王昭雄赖逢时

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200510126142.3

主分类号：

G11C11/15

IPC分类号：

G11C11/15 G11C7/00 H01L27/10 H01L27/22 H01L43/08