一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器，属于存储器技术领域，解决现有闪存单元面临着工艺度复杂高、逻辑工艺兼容性差以及擦写功耗高的问题。该存储单元包括：两个PMOS晶体管，其中，每个PMOS晶体管包括：N阱，设置在半导体衬底上方并且掺杂有P型掺杂剂；源极和漏极，设置在所述N阱中并且所述源极和所述漏极通过所述N阱的凸出部分间隔开；栅极，设置在部分源极、所述N阱的凸出部分和部分漏极上方，其中，第一PMOS晶体管的第一N阱与所述第二PMOS晶体管的第二N阱分离开。本申请不需要额外的工艺制作浮栅，可以减少工艺的复杂度。
基本信息
专利标题 ：
一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360594A
申请号 ：
CN202111683748.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
窦春萌李伟增王琳方叶望安俊杰高行行李泠刘明
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
牛洪瑜
优先权 ：
CN202111683748.2
主分类号 ：
G11C8/08
IPC分类号 ：
G11C8/08 G11C16/04 G11C7/12 H01L27/11521 H01L27/11524 H01L27/11529
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C8/06
地址接口装置，例如：地址缓冲器
G11C8/08
字线控制电路，例如，用于字线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 8/08
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
