具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件
授权
摘要

一种非易失性半导体存储器件,包括:系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元,连接在第一和第二选择晶体管之间;第一和第二伪单元,分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间;其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通,而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通;以及驱动器块,包括普通字线驱动器和伪字线驱动器,伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。

基本信息
专利标题 :
具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101751994A
申请号 :
CN200910222874.0
公开(公告)日 :
2010-06-23
申请日 :
2006-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜东求边大锡林瀛湖
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邵亚丽
优先权 :
CN200910222874.0
主分类号 :
G11C11/56
IPC分类号 :
G11C11/56  G11C16/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的,如:电压、电流、相位、频率的
法律状态
2014-06-11 :
授权
2010-08-18 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101004904977
IPC(主分类) : G11C 11/56
专利申请号 : 2009102228740
申请日 : 20060120
2010-06-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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