非挥发性存储器单元
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明属集成电路设计技术领域，具体为一种标准CMOS工艺实现的非挥发性存储器单元电路。存储器单元电路由隧穿晶体管、控制晶体管和读出晶体管构成，其中，隧穿晶体管、控制晶体管均连接成MOS电容的形式，两管的栅极相连形成浮栅，电路通过在隧穿晶体管电容两端产生高压发生双向Fowler－Nordheim隧穿效应，从而实现电荷的注入和擦除，然后通过读出浮栅控制的读出晶体管的电流得到存储器单元存储的数据。
基本信息
专利标题 ：
非挥发性存储器单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825487A
申请号 ：
CN200610024110.7
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫娜王俊宇闵昊
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
200433上海市邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN200610024110.7
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C16/26 G11C16/28
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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