相变存储单元和形成其的方法
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摘要
本发明公开了一种相变存储单元及其制造方法。所述相变存储单元包括形成于半导体衬底上的下层间介电层和穿过下层间介电层的下导电栓。下导电栓与设置于下层间介电层上的相变材料图案接触。相变材料图案和下层间介电层用上层间介电层覆盖。相变材料图案与导电层直接接触，导电层图案设置于穿过上层间介电层的板线接触孔中。
基本信息
专利标题 ：
相变存储单元和形成其的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808736A
申请号 ：
CN200510129743.X
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李智惠赵炳玉赵性来
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129743.X
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 H01L21/8239
相关图片
法律状态
2009-01-28 ：
授权
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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