一种分离式栅极快闪存储单元包括：一半导体衬底；第一绝缘层，置于该半导体衬底上；一浮动栅极，置于该第一绝缘层上，其中该浮动栅极具有第一宽度；第二绝缘层，置于该浮动栅极上；一控制栅极，置于该第二绝缘层上；一顶盖层，置于该控制栅极上，其中顶盖层、控制栅极以及第二绝缘层具有相同的第二宽度，其中该第二宽度小于该第一宽度；第三绝缘层，置于该控制栅极、该第二绝缘层、该浮动栅极、该第一绝缘层的侧壁、以及该半导体衬底上；以及一抹除栅极，置于该第三绝缘层上。由于浮动栅极形成一突出于控制栅极底部的突出部轮廓，藉此突出部轮廓增加的面积改变电荷分布以形成一尖端放电场，因此可增进浮动栅极至抹除栅极间的抹除效率。