分裂栅极存储单元及制造其阵列的方法
专利权的终止
摘要
披露了非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。更具体地说，提供了这样一种分裂栅极储存器件，其具有的架构提供增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。
基本信息
专利标题 ：
分裂栅极存储单元及制造其阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841783A
申请号 ：
CN200610009391.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜盛泽尹胜范韩晶昱田喜锡崔容硕徐辅永权赫基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610009391.9
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/40 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/28 H01L21/8247
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法律状态
2013-04-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101444717812
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2006100093919
申请日 : 20060307
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20120307
号牌文件序号 : 101444717812
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2006100093919
申请日 : 20060307
授权公告日 : 20091021
终止日期 : 20120307
2009-10-21 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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