磁存储单元与其制造方法

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摘要

磁存储单元与其制造方法。采用与自由层大小不同的铁磁下电极固定层，由于较为宽大的磁性下电极，可以产生较佳均匀性的外露磁场，使得自由层的边缘处(End Domain)区域极化向量分布正常，达到较佳的翻转特性。上述工艺亦可使用自对准的工艺方式达成。而调整适当的磁性下电极外露磁场，可以让整个自由层不同位置感受实体上相同的外加磁场，可以达成磁存储单元非常低的拴扣型写入电流特性。

基本信息

专利标题：

磁存储单元与其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101022032A

申请号：

CN200610003148.6

公开（公告）日：

2007-08-22

申请日：

2006-02-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

洪建中朱健刚高明哲

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

高翔

优先权：

CN200610003148.6

主分类号：

G11C11/15

IPC分类号：

G11C11/15 G11C11/16 H01F10/10