具有电荷捕获存储单元的半导体存储器及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
具有电荷捕获存储单元的半导体存储器，其中存储晶体管的每个沟道区的电流方向横切于相关的字线，所述位线被布置在所述字线的顶侧上并以一种方式与后者电绝缘，而且设有源－漏区的导电局部互连，该局部互连被安排在所述字线之间的间隙中的部分内，并以一种方式与后者电绝缘和被连接到所述位线上，其中栅电极被布置在至少部分地形成在存储器衬底内的槽中。
基本信息
专利标题 ：
具有电荷捕获存储单元的半导体存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855511A
申请号 ：
CN200610051517.9
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·威勒T·米科拉杰克C·卢威格N·舒尔茨K·－H·库斯特斯
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN200610051517.9
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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