电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及驱动方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

此处,公开了一种电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及其驱动方法。该电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件包括:存储器阵列,所述存储器阵列包括多个存储器元件,每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中;以及页缓冲器,驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组。该电荷捕获型非易失性存储器器件具有电荷捕获区,每个电荷捕获区存储1.5个数据位。即,单个的存储器元件具有用于存储3个数据位的电荷捕获区,从而改善了器件的集成度,同时维持了在编程和读取操作期间的较高的操作速度。

基本信息
专利标题 :
电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及驱动方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1909111A
申请号 :
CN200610008628.1
公开(公告)日 :
2007-02-07
申请日 :
2006-02-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朴起台崔正达
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
黄小临
优先权 :
CN200610008628.1
主分类号 :
G11C16/00
IPC分类号 :
G11C16/00  G11C16/06  G11C16/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
法律状态
2019-08-09 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : G11C 16/00
登记生效日 : 20190722
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : FIO半导体技术有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 美国德克萨斯州
2010-12-01 :
授权
2007-04-04 :
实质审查的生效
2007-02-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332