电荷捕获存储器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供一个薄的SiGe层作为附加的底部栅电极层，并且其设置于薄氧化栅和栅电极层之间，优选为多晶硅。选择性地蚀刻SiGe层到栅电极和氧化栅，并且邻近于源/漏区被横向去除SiGe层以形成凹槽，随后以适合电荷捕获的材料填充。器件结构和制造方法适合于包括存储单元的局部互连、CMOS逻辑外围的集成电路和且是补偿在阵列和外围中的层级差的手段。

基本信息

专利标题：

电荷捕获存储器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1870249A

申请号：

CN200610071105.1

公开（公告）日：

2006-11-29

申请日：

2006-02-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·维勒M·古特舍H·塞德尔

申请人：

英飞凌科技股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王岳

优先权：

CN200610071105.1

主分类号：

H01L21/8247

IPC分类号：

H01L21/8247 H01L21/336 H01L21/28 H01L27/115 H01L29/78