储存电荷元件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪HfxSiyOz的过程中，渐变式改变硅含量，因此可容易的制作出堆叠的渐变材料层。然后，利用硅含量y会影响氢氟酸溶液对氧化硅铪HfxSiyOz蚀刻率的特性，使经稀释氢氟酸溶液蚀刻后的堆叠的渐变材料层侧壁轮廓呈现不规则状。由于下电极、电容介电层、上电极是形成在具有不规则轮廓的渐变式的堆叠绝缘层的侧壁上，因此可以增加下电极与上电极之间所夹的面积，而可以提高储存电荷元件的储存量。
基本信息
专利标题 ：
储存电荷元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009216A
申请号 ：
CN200610002341.8
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁虔硕曾培哲李亨元李隆盛
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永红
优先权 ：
CN200610002341.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/8242 H01L21/8222
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2017-03-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101707561694
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2006100023418
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20160126
号牌文件序号 : 101707561694
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL2006100023418
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20160126
2009-12-02 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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